材料分析

掃描式電子顯微鏡(SEM)

 

電子顯微鏡是表面微細結構觀察最快速有效的方法,閎康科技同時擁有多部Hitachi S-8020、S-4800等一系列超高解像能的場發射型電子顯微鏡(FE-SEM),可搭配精準的樣品製備,如CP(ion milling)或嫻熟的delayer方式,對樣品表面及橫截面做微區放大觀察及元件尺寸量測,放大倍率可達數十萬倍,另加裝的X光能譜散佈分析儀(Energy Dispersive Spectrometry of X-ray, EDS),則可以對微區材料做定性及半定量分析,對材料組成或異物成份分析有莫大的幫助。

 



圖-1 (a) S-4800 ,(b) S-8020

 

1. 對所有類型樣品提供表面及橫截面微細結構觀察及分析。
2. 針對多層結構樣品提供精準的膜厚量測及標示。
3. 藉由EDS的X光譜線分析對材料做定性及半定量分析或特定區域的點,線,面的成份分佈分析。
4. 藉由低加速電壓的電子束掃描做被動式電壓對比(Passive Voltage Contrast, PVC),可偵測漏電或高阻值的位置,提供異常分析之判斷。
5. 樣品藉由層次去除技術(Delayer),提供SEM做電路自動連拍拼接生成的圖檔,可以與光學顯微鏡生成的圖檔做縱向連結,提供電路還原逆向工程之參考。
6. 配合微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)或光束引導熱電子感應儀(Optical Beam Induced Resistance Change, OBIRCH)偵錯,定位故障異常結構之位置,利用各種顯微切割手術,進行精密解析,找出故障原因。
圖-2 (a)動態隨機隨取記憶體晶胞在電容材料去除後的平面上視觀察 ; (b) 動態隨機隨取記憶體在字元線接點處的橫截面SEM觀察 ; (C) 動態隨機隨取記憶體在字元線接點處的橫截面SEM 察 ; (d) 平面式SEM上視觀察。抗靜電測試後的元件損傷處 ; (e) 積體電路線路還原工程 ; (f) Passive Voltage Contrast(PVC)
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