表面分析(元素成分分析)

展阻分析儀 (SRP)

 

展阻分析儀分析半導體材料的接面深度(Junction Depth)及其電阻值與載子濃度,材料電性與元件結構中的載子(Carrier)分布息息相關。

展阻分析儀原理為使用兩個探針並施加微小電壓來量測元件的一定距離之電阻值,經過進一步運算得到接面深度與載子濃度。試片首先被固定在帶有微小傾斜角度的基座,經過diamond paste研磨後,使得待測材料呈現出接面表面,接著兩個探針開始進行量測研磨表面的電阻值,最後結果呈現半導體材料的接面深度相對於電阻率或載子濃度的分布。 

 


  1. 有效載子濃度(Carrier Concentration)縱深分析
  2. 電阻率縱深分佈分析
  3. 接面深度(Junction Depth)分析
  4. 深接面的濃度分佈快速分析
  5. 離子佈植退火後製程監控

 


 


應用實例
應用實例

Q1. SRP 分析所需最小面積要多少 ?

A.  機台兩根探針的間距約為80um,故建議分析面積至少大於100um x 100um,若考量測分析時電力線的影響,分析面積最好大於160um x 160cm,可分析面積長度愈長,解析度愈佳。

Q2. SRP 分析一個 Step 的間距約為多少 ?

A.  SRP一個Step的間距大小,取決於可分析面積的大小與分析深度,視不同的研磨角度而有不同。分析深度需求大時,研磨角度愈大,則一個Step的間距越大。

     目前廠內Step的間距有0.5um、0.25um、0.125um、0.05um、0.025um等。

Q3. SRP 分析深度能到多深 ?

A.  可分析的深度取決於可分析面積的大小與研磨角度,請提供分析區域的尺寸,我們會有專人評估樣品可量測的深度。

Q4. 樣品分析有沒有什麼條件限制呢 ?

A.  SRP分析是量測樣品之電阻值,再經由標準片換算後得到電阻率及載子濃度,目前標準品以矽基材為主,Ge基材可參考文獻,故SRP目前僅能計算以矽與Ge為基材樣品的載子濃度。

     若是其他材料需要進行濃度量測,建議可以使用SIMS來分析。

Q5. 若我要送樣,我需提供那些樣品資訊 ?

A.  需提供樣品基材晶向為(100)或者是( 111 )、基板的種類是P型或者N型、分析的深度等資訊。

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