電性故障分析

OBIRCH

 

IR-Obirch的全名為InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change,顧名思義為雷射光束引生的電阻變化異常檢驗,其原理是利用波長為1340nm的雷射掃描IC,造成掃描點被局部加溫的作用,在給予一個直流定電壓的情況下,任何材質或操作的元件皆會因溫度變化而產生阻值變化,因此電流也產生變化,Obirch便可藉著偵測電流變化定出IC可能的故障位置,即阻值變化較大者,如再附加lock-in的功能,更可有效降低雜訊,使訊號更為突顯。

此項技術可從晶片正面與背面施作,能縮短找出阻值異常問題的時間,並且經由更換高電流的針座,可進一步分析高電流及電壓的元件。

 



 HAMAMATSU uAMOS-200

 

 

  • IDDQ (Idd guiescent current)靜態電流故障分析
  • 偵測金屬線內的缺陷(空洞,矽瘤Silicon Nodules)
  • 偵測金屬接觸孔的阻值異常(via, contact的接觸不良或漏電特性皆可偵測到)
  • Metal或poly的橋接
  • 線路或元件的燒毀
  • 閘極氧化層漏電
  • ESD/Latch-up故障分析
  • P-N接面漏電或崩潰
  • 操作中的元件,如電晶體與二極體
分析應用
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