電性故障分析

InGaAs

 

InGaAs EMMI 與傳統 EMMI (Si CCD) 的偵測原理一樣是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子,但由於兩者光子偵測器的材料不同(InGaAs及Si),偵測的波長範圍也就不一樣,InGaAs因為能隙較小,可偵測的波長就比較長,範圍約在900nm到1700nm之間,已是紅外線的波段,隨著元件製程越驅縮小,操作電壓也隨之降低,熱載子的能量也跟著變小,因此因為熱載子所激發出的光波長也跟著變長,而進入紅外線的範圍,所以InGaAs便非常適合先進製程對亮點定位的需求。此外,InGaAs的偵測靈敏度也比CCD EMMI來得高,為了獲得較好的亮點偵測能力,InGaAs也是絕佳的選擇。
技術原理

 

 HAMAMATSU PHEMOS-1000

 

與CCD EMMI的應用雷同,但比CCD EMMI多了以下優點:
  1. 針對低電壓操作的 IC 檢測提供了更快速的亮點定位(漏電產生的波長較長)
  2. 紅外線偵測(高量子效率)的高靈敏度
  3. 針對 IC 背面的定位分析,紅外線對矽基板的透光率較高
  4. 在亮點偵測期間(積分期間),其亮點的呈現是即時的,而不是CCD EMMI 需在積分完才作亮點的呈現
分析應用
分析應用
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