電性故障分析

EBIC/EBAC 技術

 

EBIC (Electron Beam Induced Current) 技術可用來找出接面的缺陷、觀察p-n接面的輪廓和計算出擴散長度(diffusion length)。 

 
 
電子束撞擊試片時會產生電子電洞對,電子電洞對受到空乏區內建電場的分離,再經由點針所構成的迴路形成電流,由電流影像可判斷缺陷位置與接面輪廓。
 
 

 

EBAC (Electron Beam Absorbed Current) 可快速且有效地定位出線路上開路(open)或橋接(short)的位置。

 
 

電子束穿過護層或IMD,在metal層累積電荷,metal 層可深達3到4層,累積的電荷因點針構成的迴路而形成電流,由電流影像便可判斷開路與短路的位置。

 
         

 

 

 

 

Q1. 閘極氧化層崩潰 (gate oxide breakdown) 該如何找出失效真因?

A.  利用EBIC(electron beam induced current)技術,就可以輕易找到閘極氧化層崩潰的位置喔。

     由於電子束撞擊樣品時產生電子電洞對,再經由點針構成的迴路形成電流,就可以由電流影像來判斷缺陷的位置。

 

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