We use cookies to improve your experience. By your continued use of this site you accept such use. To change your settings please see our Privacy Policy.
關閉

FIB線路修補

材料分析 (MA)

軟體

MA-tek FTP

企業社會責任報告書

OBIRCH

技術原理

IR-OBIRCH 的全名為 InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change,顧名思義為雷射光束引生的電阻變化異常檢驗,其原理是利用波長為 1340nm 的雷射掃描 IC,造成掃描點被局部加溫的作用,在給予一個直流定電壓的情況下,任何材質或操作的元件皆會因溫度變化而產生阻值變化,因此電流也產生變化,OBIRCH 便可藉著偵測電流變化定出 IC 可能的故障位置,即阻值變化較大者,如再附加 lock-in 的功能,更可有效降低雜訊,使訊號更為突顯。

 

此項技術可從晶片正面與背面施作,能縮短找出阻值異常問題的時間,並且經由更換高電流的針座,可進一步分析高電流及電壓的元件。

 

 

 

 

 

 

機台種類

HAMAMATSU uAMOS-200

Meridian S

 

 

 

 

分析應用

  • IDDQ (Idd guiescent current)靜態電流故障分析
  • 偵測金屬線內的缺陷(空洞,矽瘤Silicon Nodules)
  • 偵測金屬接觸孔的阻值異常(via, contact的接觸不良或漏電特性皆可偵測到)
  • Metal或poly的橋接
  • 線路或元件的燒毀
  • 閘極氧化層漏電
  • ESD/Latch-up故障分析
  • P-N接面漏電或崩潰
  • 操作中的元件,如電晶體與二極體

 

 

 

— 新!倒置式 OBIRCH 技術特色 —

  • 倒置式鏡頭,wafer level分析簡易,有效控制下針範圍與力道
  • 提供更好的時效性,解決pad狀況不佳,無法打線等製樣問題
  • 搭配電路編輯,有效降低訊號引出線後new wire的高成本與提升成功率
  • 增加350倍 SIL專屬鏡頭,高階製程元件精確定位(>3nm)
  • 結合C-AFM 與 nanoprobing,增加TEM等高階製程PFA成功率,整體分析流程全面性再優化
  • 搭配新型active probe,有效偵測極低訊號

 

 

 

 

聯絡窗口

台灣實驗室 | 矽導

EMMI team

: +886-3-6116678 ext:3910/3911 

: +886-952-301632

hc_efa@ma-tek.com

台灣實驗室 | 竹北

EMMI team

: +886-3-6116678 ext:1608/1609

: +886-987-058-875

jb_efa@ma-tek.com

  

 

上海實驗室

EFA team

: +86-21-5079-3616 ext:7051

: 135-2431-3161

efa_sh@ma-tek.com

廈門實驗室

黃小姐

: - - - - - - -

: 180-207-45619

: aliexhuang@ma-tek.com