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SEM

技術原理

掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)

電子顯微鏡是表面微細結構觀察最快速有效的方法,閎康科技同時擁有多部 Hitachi S-8020、S-4800 等一系列超高解像能的場發射型電子顯微鏡(FE-SEM),可搭配精準的樣品製備,如CP(ion milling)或嫻熟的 delayer 方式,對樣品表面及橫截面做微區放大觀察及元件尺寸量測,放大倍率可達數十萬倍;另加裝的X光能譜散佈分析儀(Energy Dispersive Spectrometry of X-ray, EDS),則可以對微區材料做定性及半定量分析,對材料組成或異物成份分析有莫大的幫助。

 

 

 

機台種類

S-4800

S-8020

 

SU-8220

SU-8220

 

 

 

 

分析應用

  1. 對所有類型樣品提供表面及橫截面微細結構觀察及分析。
  2. 針對多層結構樣品提供精準的膜厚量測及標示。
  3. 藉由EDS的X光譜線分析對材料做定性及半定量分析或特定區域的點、線、面的成份分佈分析。
  4. 藉由低加速電壓的電子束掃描做被動式電壓對比(Passive Voltage Contrast, PVC),可偵測漏電或高阻值的位置,提供異常分析之判斷。
  5. 樣品藉由層次去除技術(Delayer),提供 SEM 做電路自動連拍拼接生成的圖檔,可以與光學顯微鏡生成的圖檔做縱向連結,提供電路還原逆向工程之參考。
  6. 配合微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)或光束引導熱電子感應儀(Optical Beam Induced Resistance Change, OBIRCH)偵錯,定位故障異常結構之位置,利用各種顯微切割手術進行精密解析,找出故障原因。

(a) 動態隨機隨取記憶體晶胞在電容材料去除後的平面上視觀察 

(b) 動態隨機隨取記憶體在字元線接點處的橫截面SEM觀察 

(C) 動態隨機隨取記憶體在字元線接點處的橫截面SEM觀察 

(d) 平面式SEM上視觀察。抗靜電測試後的元件損傷處 

(e) 積體電路線路還原工程 

(f) Passive Voltage Contrast(PVC)

 

 

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