We use cookies to improve your experience. By your continued use of this site you accept such use. To change your settings please see our Privacy Policy.
關閉

FIB線路修補

材料分析 (MA)

軟體

MA-tek FTP

永續報告書

How can we help you? Get in touch with us

EBSD

技術原理

電子背向散射繞射(Electron Back Scatter Diffraction, EBSD)

EBSD是一種利用繞射電子束來鑑別樣品結晶學方位的技術,在半導體產業中,經常會利用此種技術來研究材料微觀組織。EBSD的探頭裝置在聚焦離子束顯微鏡(Focused Ion Beam, FIB)中,樣品表面與電子束方向傾斜角度約呈70度,電子束打在樣品後,會產生反彈的背向散射電子,在經過表面晶體結構時會產生繞射,形成菊池線與菊池花樣;其攜帶著樣品表面晶粒方位的資訊,進入探測器中,藉此判斷其每一顆晶粒的方向性。

 

在知道樣品表面每個位置的繞射狀態與每一顆晶粒的方位後,再利用這些資訊去進一步分析晶界(Grain boundary)、晶粒方位(Orientation)、織構(Texture)及應變(Strain)等。此外亦可搭配 EDX 做協同分析,進行相鑑定(Phase identification)與相之分布的分析。

 

 

 

應用分析

  1. 次結構組織分析
  2. 晶粒尺寸/晶界分析
  3. 晶粒取向分析
  4. 相鑑定與其分布分析
  5. 變形與再結晶分析
  6. 織構分析
  7. 應變分布分析

 

 

應用實例

Orientation Map

Phase Map

 

Grain size distribution

Misotientation angle distribution

 

Pole figure

Inverse pole figure

 

 

 

常見問題

Q1. EBSD分析樣品可接受尺寸如何?

A. 一般長寬高不超過 1cm x 1cm x 0.5cm,但分析前建議和技術單位討論。

 

Q2. EBSD樣品製備要求?

A. 整體來說,樣品的分析面需製備的夠平整才可執行 EBSD 分析,樣品的平整度將直接影響 EBSD 成像品質。不同的樣品有不同製備方式,常見的方式有研磨拋光、電解拋光、離子拋光等。

 

Q3. 晶粒間的方位角度之精度可以到達什麼程度?

A. 在最佳狀態下可達 0.05°。

 

Q4. 通常什麼樣品需要做EBSD分析?

A. 一般 EBSD 是用來分析具晶體結構的材料。TEM 與 SEM 雖然可以觀察晶粒形貌與尺寸,但無法量化晶粒尺寸分布與晶粒方位取向的分布;而 EBSD 掃描範圍大,可涵蓋晶粒數目多,除了可用來觀察晶粒形貌,還具有統計材料的晶粒尺寸、晶粒方位、相鑑定及其分布等功能。

 

Q5. 可分析到的最小晶粒尺寸極限是多少?

A. 目前 EBSD 偵測晶粒的物理極限約 50nm,但 EBSD 可以分析的晶粒尺寸與樣品本身與樣品表面狀況(樣品製備狀況)有極大關係;一般來說,樣品表面狀況越佳越有利於樣品的分析。

 

 

 

聯絡窗口

台灣實驗室|矽導

施先生

: +886-3-6116678 ext:3896

: +886-952-352-613

: rd@ma-tek.com