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尋找閘極氧化層崩潰(Gate oxide breakdown)的真因讓您崩潰了嗎?

2018/07/20

不!您有更好的方法 - EBIC!

在元件失效的機制上,我們常遇到gate oxide breakdown的問題,造成這問題的原因可能是ESD、可能是製程異常、也可能是元件設計或測試時造成的過壓現象。

 

過去我們要發掘出此問題,一般是經由發亮的gate contact VC確認漏電後,再利用酸處理把缺陷位置吃出一個洞,這個洞就是所謂的gate oxide pinhole,只不過這種故障分析方式不僅僅失敗率高,而且還是破壞性的處理手法,案發現場都被破壞了,您只知道缺陷位置,卻對缺陷的樣貌一無所悉,更遑論找出真因與提出改善措施了。

 

EBIC(Electron Beam Induced Current)徹底解決了長久以來面對gate oxide breakdown的困境,它能夠有效的定位出缺陷位置,再進而以FIB/TEM切面的方式觀察缺陷,判斷出造成此缺陷的製程問題,以進行製程改善,達成良率提升與降低客退的目的。爾後若是再遇到gate oxide breakdown的現象,只要依循以下三步驟,就可馬上找出問題的真因囉!

 

 


EBIC定位出缺陷位置

 

Gate oxide製程異常造成厚度過薄

STI corner平坦度問題造成gate oxide breakdown

 

想要知道更多關於EBIC的原理,歡迎點擊EBIC/EBAC〕了解 !