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企业社会责任报告书

Thermal EMMI

技术原理

THEMOS mini为简易、节省空间之最新电性故障定位设备,可直接并快速地透过IC正面或背面来找出缺陷所在位置,更可在IC未开盖状态下定位出失效点为IC本身或封装问题,是非破坏性分析的绝佳利器。

 

其原理乃利用高灵敏度之InSb detector侦测IC在通电状态下,缺陷位置所产生之热辐射的分布,借以定位出失效所在位置,甚至可估算出热源在纵深的距离,非常适合stacked die的封装产品分析。

 

此设备原理类似于早期的液晶侦测技术,除了IC与Package以外,还可应用于大面积的产品,如PCB、面板、被动元件等。

 

 

 

 

机台种类


Thermo ELITE


Thermo ELITE

 

Characteristics

Limit

 

高电压范围

±3000V (@100mA)

高电流范围

3A (@40V)

锁定频率

1Hz~89Hz

广角镜范围

30cm*30cm

镜片

WA、1X、10X、LSM20X、LSM50X

特点

背面探针、镶嵌拼接

 Thermo ELITE 規格

 

 

HAMAMATSU THEMOS mini

 

 

 

 

 

分析应用

  • 具市场上最高灵敏度的热源侦测系统
  • 即时锁定测量,提高信噪比
  • 差异化温度解析度:数秒后 <1 mK;数小时后 <10 uK
  • 检测金属接触孔的阻值异常部分( via/contact )
  • 堆叠晶片、封装打线、PCB 属traces缺陷或短路
  • 介电层崩溃/漏电
  • TFT-LCD 漏电/Organic EL漏电定位
  • 侦测元件开发阶段时于应用状态下之异常温度变化
  • ESD与闩锁效应
  • 热源纵深判读
  • 静态/动态分析

 

Thermal emission analysis image through IC's backside

 

 

(a) IC backside 影像+thermal emission ; (b) Thermal emission 

 

 

Thermal emission analysis image through IC’s front side 

 

 

 (a) IC外观图 ; (b) X-ray 照片 ; (c) 热影像图

  

 

Thermal emission heat source depth estimation

  

 

 

 

联络窗口

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