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Benchmark Analysis of Samsung Galaxy S4

闳康科技凭借多年于半导体及光电通讯等产业的材料分析技术及经验,提供客户新产品及新技术的竞争力分析,并可针对客户需求提供客制化的分析及咨询服务,不仅可以帮助客户了解产业最新动态及核心技术之外,也可以提供客户下一世代产品的设计及改良依据。

 

以下为近期闳康科技着手分析的一些范例,除了制式的分析范例内容外,闳康也提供了客制化的分析服务,针对客户的重点部分提供详尽的解析与咨询。

 

图-1

 

Samsung Galaxy S4搭载自家的Exynos 5410双四核心处理器与2GB RAM / 16GB ROM,双四核心架构可在使用不同程式时自动做更换,用以兼顾效能与功耗表现。

 

 

图-2 

Samsung Exynos 5410双四核心处理器,采用”big.LITTLE”架构,以四颗1.6GHz CortexA15 搭1.2GHz Cortex A7,并使用PoP(Package to Package)的方式与自家的2GB LPDDR3一起封装。

 

 

图-3 

Samsung Exynos 5410采用28nm HK silicide gate制程,Gate length约32nm,28nm制 程实际是以contact size计算。

 

 

图-4 (a)Die marking

图-5 (b)PMOS (8T-SRAM)

Samsung 310 NAND flash memory的NAND string宽度约为3075nm,64条word line为一 区块,并采用air gap制程。

 

 

图-6 Samsung 310

 

 

 

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