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展阻分析仪 (SRP)

技术原理

展阻分析仪分析半导体材料的接面深度(Junction Depth)及其电阻值与载子浓度,材料电性与元件结构中的载子(Carrier)分布息息相关。

 

展阻分析仪原理为使用两个探针并施加微小电压来量测元件的一定距离之电阻值,经过进一步运算得到接面深度与载子浓度。

 

试片首先被固定在带有微小倾斜角度的基座,经过diamond paste研磨后,使得待测材料呈现出接面表面,接着两个探针开始进行量测研磨表面的电阻值,最后结果呈现半导体材料的接面深度相对于电阻率或载子浓度的分布。

 

 

 

 

分析应用

  1. 有效载子浓度(Carrier Concentration)纵深分析
  2. 电阻率纵深分布分析
  3. 接面深度(Junction Depth)分析
  4. 深接面的浓度分布快速分析
  5. 离子布植退火后制程监控

 

 

 

 

机台种类

 

 

 

 

应用实例

 

  

 

 

 

常见问题

Q1. SRP 分析所需最小面积要多少 ?

A. 机台两根探针的间距约为80um,故建议分析面积至少大于100um x 100um,若考量测分析时电力线的影响,分析面积最好大于160um x 160cm,可分析面积长度愈长,解析度愈佳。

 

Q2. SRP 分析一個 Step 的间距约为多少 ?

A. SRP一个Step的间距大小,取决于可分析面积的大小与分析深度,视不同的研磨角度而有不同。分析深度需求大时,研磨角度愈大,则一个Step的间距越大。

目前厂内Step的间距有0.5um、0.25um、0.125um、0.05um、0.025um等。

 

Q3. SRP 分析深度能到多深 ?

A. 可分析的深度取决于可分析面积的大小与研磨角度,请提供分析区域的尺寸,我们会有专人评估样品可量测的深度。

 

Q4. 样品分析有没有什么条件限制呢 ?

A. SRP分析是量测样品之电阻值,再经由标准片换算后得到电阻率及载子浓度,目前标准品以矽基材为主,Ge基材可参考文献,故SRP目前仅能计算以矽与Ge为基材样品的载子浓度。

若是其他材料需要进行浓度量测,建议可以使用SIMS来分析。

 

Q5. 若我要送样,我需提供那些样品资讯 ?

A. 需提供样品基材晶向为( 100 )或者是( 111 )、基板的种类是P型或者N型、分析的深度等资讯。

 

 

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