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SEM

技术原理

电子显微镜是表面微细结构观察最快速有效的方法,闳康科技同时拥有多部Hitachi S-8020、S-4800等一系列超高解像能的场发射型电子显微镜(FE-SEM),可搭配精准的样品制备,如CP(ion milling)或娴熟的delayer方式,对样品表面及横截面做微区放大观察及元件尺寸量测,放大倍率可达数十万倍,另加装的X光能谱散布分析仪(Energy Dispersive Spectrometry of X-ray, EDS),则可以对微区材料做定性及半定量分析,对材料组成或异物成份分析有莫大的帮助。

 

 

 

 

机台种类

图-1 (a) S-4800

图-2 (b) S-8020

 

SU-8220

SU-8220

 

 

 

 

分析应用

 

  1. 对所有类型样品提供表面及横截面微细结构观察及分析。
  2. 针对多层结构样品提供精准的膜厚量测及标示。
  3. 藉由EDS的X光谱线分析对材料做定性及半定量分析或特定区域的点,线,面的成份分布分析。
  4. 藉由低加速电压的电子束扫描做被动式电压对比(Passive Voltage Contrast, PVC),可侦测漏电或高阻值的位置,提供异常分析之判断。
  5. 样品藉由层次去除技术(Delayer),提供SEM做电路自动连拍拼接生成的图档,可以与光学显微镜生成的图档做纵向连结,提供电路还原逆向工程之参考。
  6. 配合微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)或光束引导热电子感应仪(Optical Beam Induced Resistance Change, OBIRCH)侦错,定位故障异常结构之位置,利用各种显微切割手术,进行精密解析,找出故障原因。

图-3

(a) 动态随机随取记忆体晶胞在电容材料去除后的平面上视观察 

(b) 动态随机随取记忆体在字元线接点处的横截面SEM观察 

(C) 动态随机随取记忆体在字元线接点处的横截面SEM观察 

(d) 平面式SEM上视观察。抗静电测试后的元件损伤处

(e) 积体电路线路还原工程 

(f) Passive Voltage Contrast(PVC)

 

 

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