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FIB线路修补

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企业社会责任报告书

PEM-InGaAs

技术原理

InGaAs EMMI 与传统EMMI (Si CCD) 的侦测原理一样是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子,但由于两者光子侦测器的材料不同(InGaAs及Si),侦测的波长范围也就不一样,InGaAs因为能隙较小,可侦测的波长就比较​​长,范围约在900nm到1700nm之间,已是红外线的波段,随着元件制程越驱缩小,操作电压也随之降低,热载子的能量也跟着变小,因此因为热载子所激发出的光波长也跟着变长,而进入红外线的范围,所以InGaAs便非常适合先进制程对亮点定位的需求。此外,InGaAs的侦测灵敏度也比CCD EMMI来得高,为了获得较好的亮点侦测能力,InGaAs也是绝佳的选择。

 

 

 

 

 

 

机台种类

HAMAMATSU PHEMOS-1000

 

 

 

 

 

分析应用

与CCD EMMI的应用雷同,但比CCD EMMI多了以下优点:

  1. 针对低电压操作的 IC 检测提供了更快速的亮点定位(漏电产生的波长较长)
  2. 红外线侦测(高量子效率)的高灵敏度
  3. 针对 IC 背面的定位分析,红外线对矽基板的透光率较高
  4. 在亮点侦测期间(积分期间),其亮点的呈现是即时的,而不是CCD EMMI 需在积分完才作亮点的呈现
 
 

 

 

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