このサイトでは、皆様の閲覧体験からサイトの改善を目指すことを目的としてCookieの使用に同意いただくことをお願いしております。
このサイトを継続して使用されることにより、Cookieの使用を受け入れて頂いたことになります。
詳しくは、私たちが設定している個人情報保護方針をご覧ください。

FIB回路修正

材料分析

お申込みフォーム

ダウンロード

MA-tek FTP

CSRレポート

PEM-CCD(エミッション顕微鏡)

方式

EMMIとOBIRCHは故障解析の最も一般的な装置であり、MA-tekが保有するEMMIは従来型のSi-CCDと
高性能InGaAsを検出器として用い、OBIRCHと組み合わせて、前工程及び後工程で作りこまれたIC素子の電気的故障箇所を特定することができます。

MA-tekの卓越した技術スタッフは、半導体産業の種々の分野で経験を積み重ねており、最も正確かつ高精度、高効率な分析サービスを提供することでお客様の製品開発のための時間と費用を節約できると確信しています。

半導体素子内で過剰な電子・正孔ペアが発生すると放出される赤外線を検出します。酸化膜絶縁破壊は、ESD(静電放電)ダメージ、ラッチアップ、衝突イオン化、トランジスター飽和を生じ、これらが過剰電子・正孔ペアを発生させます。赤外線検出器により、この故障箇所を正確に特定することができます。

半導体素子における発光現象はバンド内或いはバンド間で再結合を生じ、あるいは制動放射(Bremsstrahlung)プロセスを生じ、赤外線遷移を生じます。

赤外線検出器を用いることにより、確実、高精度に故障箇所を検出することができます。本技術はICの故障箇所を広範囲で高感度像に検出することができ、又試験条件・製品工程を設定することにより発光現象を選別することもできます。

 

 

 

 

保有装置

HAMAMATSU PHEMOS-1000

 

 

 

 

 

応用

発光欠陥

  • 接合リーク
  • コンタクトスパイク
  • 飽和トランジスターにおけるホットエレクトロン
  • アバランシェ現象
  • ラッチアップ
  • 酸化膜リーク
  • 多結晶シリコンフィラメント
  • 基板欠陥

 

 

製品工程

  • フローティングゲート
  • 飽和バイポーラートランジスタ、アナログMOSFET
  • フォワードバイアスダイオード

 

 

検出不能エミッション

  • エミッション箇所がマスクされている場合

a.埋め込み接合

b.金属配線下のリーク

 

  • オーミックショート
  • 金属間ショート
  • シリコン導電領域

 

 

 

 

担当者

名古屋ラボ|営業部

長谷川文哉

: 052-705-1688 ext:1

: 080-5322-2380

: sales_nagoya@ma-tek.com