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CSRレポート

Decapとdelayer – Delayer / Parallel Lapping

方式

この技術は、化学溶液/ガスエッチングと機械的研磨を使用して、ICチップ内のさまざまな金属層や酸化物層を少しづつ除去します。また、必要に応じて選択した層を露出させることも可能です。

 

 

 

保有装置

反応性イオンエッチング(RIE)

 

研磨装置

 

 

 

応用

Ma-tekは、ディレイヤ [parallel lapping] のプロフェッショナルとして、次の3つのプロセスを有します。

  • 化学的ウェットエッチング

  • RIEドライエッチング

  • メカニカルポリッシュ

 

これらの技術は、故障解析(FA)やリバースエンジニアリングに広く採用されています。局所的なバーンアウトなどの故障は、層別除去 [parallel lapping] により、露出させて検出することができます。ディレイヤ [parallel lapping] は、各IC層をシステマティックに露出させて構造検査を行うことができるため、リバースエンジニアリングに大きなメリットがあります。

 

 

光学顕微鏡写真

 

SEM像

 

 

担当者

名古屋ラボ|営業部

長谷川文哉

: 052-705-1688 ext:1

: 080-5322-2380

: sales_nagoya@ma-tek.com