このサイトでは、皆様の閲覧体験からサイトの改善を目指すことを目的としてCookieの使用に同意いただくことをお願いしております。
このサイトを継続して使用されることにより、Cookieの使用を受け入れて頂いたことになります。
詳しくは、私たちが設定している個人情報保護方針をご覧ください。

FIB回路修正

材料分析

お申込みフォーム

ダウンロード

MA-tek FTP

CSRレポート

How can we help you? Get in touch with us

DB P-FIB

技術コンセプト

デュアルビームプラズマFIBP-FIB)は、キセノンをイオン源とした断面試料作製用のFIBです。

従来のGa+ FIBと比較して20倍の高速処理が可能です。そのため、通常のFIBでは不可能な大面積断面の試料作製に適しています。

 

また、P-FIBには電子銃が搭載されており、SEM像を取得することができます。断面観察の際には、欠陥形状をSEMモードで段階的に観察することができ、分析者は適切な切断位置を決定することができます。

 

構造観察に加えて、P-FIBは発熱解析やOM3D X線、SATなどの非破壊分析後の欠陥評価にもよく利用されています。現在、P-FIBICやパッケージの故障解析に広く利用されています。

 

 

 

装置

MA-tekはFEI社とTESCAN社のP-FIBを所有しています。特徴は以下のとおりです。

  • ビーム電流 1.5pA~1.3uA

  • 加速電圧 2kV~30kV

  • FIB分解能(コインシデンスポイント)25nm@30kV(より最適な統計手法による)

  • ハイスループットな大面積自動化

  • 加工エリアは 500um幅および500um深さが可能

  • 極めて高速で正確な断面加工と物質の除去

 

 (a) FEI P-FIB  (b) TESCAN P-FIB

 

 

 

 

アプリケーション

P-FIBは主に以下のような製品や構造に使用されています。

  • 2.5D / 3D IC

  • TSV

  • C4バンプ / インターポーザ / μバンプ

  • ボンディングパッド / 1ボンド / 2ボンド

  • はんだバンプ / BGAボール

  • チップ裏面

  • MEMS

  • アセンブリ / PCB

 


ボンディングパッドとワイヤーの観察


チャンネルコントラストによるはんだバンプ観察

 


CSPBGAボールの下部のプロファイルチェック


TSV

 

C4バンプ断面

 

 

 

 

TESCAN P-FIB の特徴


EBICにより故障箇所を特定することができます。青色のドットはパーティクルや欠陥です。

(a) EBIC  (b)SE


CL検出器を用いて異なる材料の分布や位置を区別することができます。

(a) CL  (b)SE

 

 


BSE検出器を用いると材料の違いがコントラストに強く現れます。
 (a)SE  (b)BSE


LVSTDは1〜500Paの圧力で動作し、バイオサンプルの観察に使用することができます(冷却ステージ併用)。

 


冷却ステージ:温度は-50~-70℃の範囲で安定しており、結晶化過程を観察することができます。


SI検出器は画像のコントラストを向上させることができます。
 (a) SE;(b)SI

 


ロッキングステージは、サンプルステージを自動で回転させ、FIBによるアーティファクトを抑制できます。
 (a) 研磨  (b) ロッキングステージ


 

 

 

担当者

名古屋ラボ|営業部

長谷川文哉

: 052-705-1688 ext:1

: 080-5322-2380

: sales_nagoya@ma-tek.com