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FIB回路修正

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CSRレポート

電気特性測定

方式

本分析サービスは半導体デバイスの電流-電圧特性(I-V)、静電容量-電圧特性(C-V)、インダクタンス等の電気特性を測定いたします。

 

また必要に応じてFIBを使用し、半導体素子にプローバーを装着し、半導体個別素子の電気的測定サービスも提供いたします。

 

 

 

保有装置

(a) Semiconductor parameter analyzer (HP4156C)

(b) Semiconductor parameter analyzer (Keysight B1500A)

 

(c) High voltage power supply (Keithley 2410)

(d) High voltage power supply (Keithley 2290, 5KV/5mA)

 

(e) Power supply with three pairs of ports (E3631A, 6V/5A, +/-25V/1A)

(f) Power supply (BK LPS505n, 32V/3A, 15V/5A)

 

(g) Numerical meter (34401A) 

(h) Oscilloscope (DSO-X 3104A)

 

(i) DC electronic load (DC electronic load 63600)

(j) Waveform generators (Keysight 33500B)

 

(k) Power device analyzer (Keysight B1506A, +/-3KV/20A)

 

 

 

 

応用

LEDや太陽電池の暗電流測定等の微小漏洩計測、CMOS、BJT、BiCMOSなど半導体定数の計測やSpice定数の計測、ショート、断線テスト、C-V、インダクタンス、半導体のDC/AC計測など。

 

NMOS Vds-Ids 特性曲線

PMOS Vds-Ids 特性曲線

 

 

担当者

名古屋ラボ|営業部

Allison Tai

: 052-705-1688 ext:1

: 070-2292-2051

: sales_japan@ma-tek.com

名古屋ラボ|新規事業開發部

長谷川 文哉

: 052-705-1688 ext:3

: 080-5322-2380

: FumiyaHasegawa@ma-tek.com