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FIB回路修正

材料分析

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CSRレポート

電気特性測定

方式

本分析サービスは半導体デバイスの電流-電圧特性(I-V)、静電容量-電圧特性(C-V)、インダクタンス等の電気特性を測定いたします。

 

また必要に応じてFIBを使用し、半導体素子にプローバーを装着し、半導体個別素子の電気的測定サービスも提供いたします。

 

 

 

 

保有装置

Semiconductor parameter analyzer (HP4156C)

Signal/Function generator (HP3325A)

 

 

High voltage power supply (Keithley 2410)

Power supply with three pairs of ports (E3631A, 6V/5A, +/-25V/1A)

 

 

Numerical meter (34401A)

Oscilloscope (DSO-X 3104A)

 

 

 DC electronic load (DC electronic load 63600)

LCR meter (HP4275A)

 

 

High power programmable curve tracer (Tektronix 370A)

 

 

 

 

応用

LEDや太陽電池の暗電流測定等の微小漏洩計測、CMOS、BJT、BiCMOSなど半導体定数の計測やSpice定数の計測、ショート、断線テスト、C-V、インダクタンス、半導体のDC/AC計測など。

 

NMOS Vds-Ids 特性曲線

PMOS Vds-Ids 特性曲線

 

 

担当者

名古屋ラボ|営業部

長谷川文哉

: 052-705-1688 ext:1

: 080-5322-2380

: sales_nagoya@ma-tek.com