このサイトでは、皆様の閲覧体験からサイトの改善を目指すことを目的としてCookieの使用に同意いただくことをお願いしております。
このサイトを継続して使用されることにより、Cookieの使用を受け入れて頂いたことになります。
詳しくは、私たちが設定している個人情報保護方針をご覧ください。

FIB回路修正

材料分析

お申込みフォーム

ダウンロード

MA-tek FTP

CSRレポート

C-AFM(コンダクティブAFM)

方式

コンダクティブAFM(C-AFM)はAFMの機能の一つです。これは、先端が尖ったTip(探針)を持つマイクロスケールのカンチレバーで構成され、ナノメートルの分解能で表面形態を得るために用いられます。

AFMは、1983年にGerd BinningとHeinrich Rohrerによって発明され、1986年にノーベル物理学賞を受賞した走査型トンネル顕微鏡(STM)を発展させたものです。AFMの先端を試料表面に近づけると、Tipと試料間の反発力により、フックの法則に従ってカンチレバーが曲がります。フィードバックシステムにより力を制御することで、高空間分解能の表面形態を得ることができます。

 

C-AFMはAFMに似ていますが、スキャン時にTipとサンプル間に追加の電圧バイアスが印加されます。I-V測定により接点の局所領域の電気的特性を得ることができ、スキャン画像から故障位置をより正確に特定することができます。


C-AFMの模式図

 

 

EFMの概念図

当社のC-FAMには、静電気力顕微鏡(EFM)という別の機能があります。これは、チップとサンプル間の静電気力を利用してサンプル表面をスキャンします。このようなマッピングは、サンプル表面の電気的特性を反映しています。 C-AFMと同様に、バイアスをチップに印加することでチップとサンプルの間に静電気力を誘発し、カンチレバーの曲がりを引き起こします。これにより、電位や表面電荷分布など、より多くの表面情報を得ることができます。

 

 

 

保有装置

Bruker INNOVA

 

 

 

 

応用

  • It can be used in failure analysis for high resistance contact, junction leakage, gate oxide leakage, etc.
  • To identify various contact types. (P+/N+/Poly CT)
  • To diagnose failure mechanisms by comparing I-V curves on different contact types.
  • To measure I-V curve on a specific point.
  • To provide information about surface potential and charge distribution.

 

C-AFMは表面トポグラフィ[形態]とI-V特性を提供します

(a) Topography  (b) +1Vバイアス時の電流  (c)-1Vバイアス時の電流

 

C-AFMによる4つの異なる点(A、B C、D)のI-V曲線

 

 

担当者

名古屋ラボ|営業部

長谷川文哉

: 052-705-1688 ext:1

: 080-5322-2380

: sales_nagoya@ma-tek.com